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NTD65N03R
2400
2000
1600
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
6
Q T
V GS
1200
C iss
4
Q 1
Q 2
800
C oss
2
400
C rss
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
1000
DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
70
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
V DS = 10 V
I D = 35 A
60
V GS = 0 V
100
V GS = 10 V
t f
t d(off)
t r
50
40
30
10
t d(on)
20
10
T J = 150 ° C
1
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
10 m s
100 m s
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
PACKAGE LIMIT
1
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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